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Corning Laser Technologies

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Unsere Fähigkeiten

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Laser Dicing | Laser Semiconductor Wafer Dicing | Corning

Das CLT-Laser-Dicing-Verfahren erhöht die Bearbeitungsgeschwindigkeit, verbessert die Genauigkeit und Auslastung und minimiert die Partikelerzeugung
 
Mit abnehmenden Die-Größen und zunehmenden Wafer-Durchmessern wird die Materialausnutzung für Halbleiteranwendungen mit hoher Ausbeute immer wichtiger und erfordert qualitativ hochwertige und schnelle Dicing-Prozesse. Die Herstellung komplexerer Chips, wie beschichtete und strukturierte Chips, profitiert vom Laser-Dicing hinsichtlich Qualität und Sauberkeit.
 
Das CLT-Laser-Dicing-Verfahren ist ein zweistufiger Ansatz zur Modifikation und Trennung: Die Modifikation der Glaswafer erfolgt durch den bewährten CLT-Laserprozess, während die Trennung durch automatisches Brechen auf einem Stretch-Tape realisiert werden kann. Das Ergebnis ist eine erhöhte Verarbeitungsgeschwindigkeit, eine verbesserte Genauigkeit und Ausnutzung sowie eine minimale Partikelerzeugung.

Exemplarische Untersuchungen eines Corning® HPFS® Fused Silica (HPFS) Glaswafers zeigen die außergewöhnliche Leistung bei Chipping und Kantenqualität und liefern eine Qualität, bei der die Chipping-Leistung besser als 50 µm ist, mit sehr präzisen Kanten und Ecken.

Vorteile:

  • Kleine Chip-Größen
  • Wafer-Größen von bis zu 300 mm Durchmesser
  • Hohe Chipqualität und Verarbeitungsgeschwindigkeit
  • Hervorragende Ergebnisse bei der Ausbeute
  • Schnittspaltverluste nahe Null
  • Hohe Kantenfestigkeit
  • Noch nie dagewesene Aspekt-Verhältnisse

Appliktionen:

  • Micro-Fluidik
  • Micro-Optik
  • Meta-Oberflächen
  • Glasswafer-basierte Semiconductor Applikationen
  • Dicing von anderen spröden, transparenten Materialien (z. B. Saphir)
  • Beschichtete und strukturierte Dies

 

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